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闪存技术进入创新发展 SK海力士128层4D NAND出样

时间:2019-11-21 16:27:44       来源:IT之家

根据guru3D的报道,随着NAND闪存技术的创新发展,固态硬盘TB内存时代即将到来,SK海力士现已推出了第一批基于其128层4D NAND产品样品。

据介绍,SK海力士本月向主要客户交付了基于128层4D NAND工程样本,其中包括1TB UFS 3.1、2TB cSSD 和16TB E1.L eSSD。

SK海力士于2019年6月成功批量生产了128层1Tb TLC NAND,这在业内尚属首次。今年11月,SK海力士向主要智能手机制造商提供了其基于128层1Tb 4D NAND的1TB UFS 3.1工程样品。由于实现1TB产品所需的芯片数量相比减少了一半,1TB芯片的封装厚度只有1mm,这对于超薄的5G智能手机来说是最理想的。搭载该产品的智能手机预计将在明年下半年左右量产。