今日，三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存，可用于手机、平板等。
相较上一代eUFS 3.0(512GB)闪存产品，新款的写速提升了200%，达到了惊人的1200MB/s，比用于PC的传统SATA3 SSD(540MB/s)和UHS-I microSD存储卡(90MB/s)，可谓巨大的升级，可消除8K、5G时代下的存储瓶颈。
其它性能参数还包括，连续读取速度可达2100MB/s，随机读取速度就100K IOPS，随机写入速度70K IOPS。
当然，这批新的eUFS 3.1闪存还有128GB和256GB容量。
另外，三星还透露，其位于中国西安市的X2线则已于本月开始生产第五代V-NAND(9x层)，韩国平泽市的P1线将很快转向第六代V-NAND闪存(1xx层)芯片的量产，以满足日益增长的市场需求。
此前，西部数据、铠侠(原东芝存储)也介绍了UFS 3.1闪存产品，但都是出样，没有达到量产程度。
作者.万南
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