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QLC闪存标杆之作:Intel 670p成为全球第一个144层QLC闪存

时间:2021-06-02 15:27:20       来源:快科技

去年底,Intel发布了新一代主流消费级SSD 670p,和前两代660p、665p一样都是QLC闪存颗粒,不过堆叠层数从64层、96层一路来到了144层,让670p成为全球第一个144层QLC闪存,对行业来说有一定的里程碑意义。、首先来看外观,670p采用标准M.2 接口,长度为80mm,PCIe 3.0 x4协议,可以兼容标准桌面和笔记本平台,且容量有三种选择;

慧荣的主控制器,自带第三代固件;

单面设计更加轻薄,更适合轻薄笔记本这样的移动平台;

由于144层QLC闪存的存储密度大大增加,因此在1TB身上我们能看到其拥有两颗芯片;中间的缓存芯片来自华邦;

在性能方面,官方宣称顺序读写最高可达3.5GB/s、2.7GB/s,对比上代660p分别提升了94%、50%,QD1和QD8的4K随机读写比上代也分别提升了41%、55%。

另外670p还大大强化了固定和动态两种缓存分配机制,比上代增大了11%,1TB容量的固定缓存为12GB,动态缓存最大可以有140GB,可以很好的提升日常性能。

670p 1TB的最大写入量为370TBW,相当于每天0.2次全盘写入,平均每天可以写入200GB数据,这已经大大超出了绝大多数用户的日常需求,五年质保让你在可靠性和安全性上也不必有任何忧虑。

功耗方面,670p的读写功耗和待机功耗相较于上代均有降低,而L1.2休眠状态更是仅仅3毫瓦;只用上代一半的功耗,就达成了两倍的性能,即便是使用移动端平台进行办公创作等场景,670p也能应对自如;

那么接下来通过一些常见基准测试软件,来看看它的实际性能表现到底如何。

在CrystalDiskMark测试中,无论是1GB还是64GB数据包,670p的顺序读取速度都达到了标称的3.5GB/s,顺序写入接近2.8GB/s,甚至略超官方指标;

AS SSD的测试压力更重,但是顺序读取依然稳稳超过了3GB/s,顺序写入也在2.5GB/s左右,非常理想,几乎达到了PCIe 3.0 x4带宽的极限。即便是64线程高压的4K随机读写,也分别可以跑到最高850MB/s、1.3GB/s,颇为不俗。

ATTO测试中,即便是面对0.5KB的零碎小文件,读取速度也差一点超过100MB/s,写入速度则接近90MB/s,非常惊艳,要知道以往的SSD基本上都在20-30MB/s之间。16KB的时候,读取速度已经逼近2GB/s,写入速度则超过1GB/s。256KB开始就完全稳定下来,读取在3GB/s左右,写入在2.5GB/s左右,这和AS SSD测试是基本一致的。

HD Tune Pro测试来考察缓存外速度,测试文件体积选择为1.5GB。可以看到,缓存内传输速度基本稳定在2GB/s左右,127GB左右之后速度明显变化,这也正是670p 1TB版的缓存容量。

缓外速度大约在250MB/s,只有缓内速度的八分之一,差距还是比较明显的,但在日常应用中,我们几乎不可能碰到一次用完接近130GB缓存的情况,所以缓外速度影响并不大。

温度测试,我们把670p放在微星主板第一个M.2插槽上,用的是主板自带的M.2散热片。

待机温度29度左右,在进行CrystalDiskMark的64GB性能测试时,最高温度仅有46度,因此这款SSD的温度基本上用不着担心,即便在空间有限的轻薄本里也不是问题。

Intel SSD 600p系列一直在OEM笔记本、台式机中应用广泛,不过因为很多人对QLC闪存有一些误解甚至歧视,该系列也一直存在一些争议。

而670p系列可以说是扭转了一些局面,首发全新的144层堆叠闪存,存储密度增加50%,搭配新一代主控和固件,支持更大容量的动态缓存,并进一步优化功耗,无论性能还是能效都有了一个十足的进步;

实际测试也验证了它的性能指标所言非虚,无论顺序读写还是随机读写,都达到了同档产品的较高水准,用在主流笔记本、台式机中可谓绝配。

另外1TB的性能表现非常接近PCIe 3.0 SSD的顶级水准,顺序读取速度高达3500MB/s,达到了PCIe 3.0 x4所能提供带宽的极限,同时59MB/s的4K随机读取速度可同样可圈可点。

事实上,SSD的寿命除了和闪存颗粒有关之外,主控、容量也有很大影响,Intel 144层QLC闪存的最大优势恰恰就是高密度、大容量,因此足以保证高可靠性。

目前Intel 670p SSD已经陆续上市,京东商城报价479元起,多家合作品牌的整机也都已预装,感兴趣的小伙伴们及时入手。

关键词: QLC 闪存 Intel 670p 文件